ELECTRICAL PROPERTIES OF In0.9993Er0.0007Se SINGLE CRYSTALS
A.A. Ismailov, P.H. Ismayilova, A.A. Ismayilov*, L.V. Rustamova, M.M. Shirinov, S.S. Abdinbeyov
   download pdf   

ABSTRACT

The electrical properties of unirradiated In0.9993Er0.0007Se single crystals at room temperature, irradiated with γ-quanta of 50 and 100 krad doses, have been studied. The following electrical parameters were found: the concentration of free charge carriers in unirradiated crystals was P0=6.125·109cm-3, the concentration of local levels Nt=8.82·1010 cm-3, the capture factor θ=2.7·10-1 and when irradiated with a dose of 50 krad, P0=5.3·109 cm-3, Nt=1.17·1011cm-3, θ=2.6·10-1 and at 100 krad P0 =5.5·109 cm-3, Nt =1.1·1010 cm-3 and θ=2.68·10-1.

Keywords: perfect crystals, charged defect center, rare earth elements, electrical conductivity, purification
DOI:10.70784/azip.2.2025229

Received: 06.05.2025
Internet publishing: 20.05.2025    AJP Fizika A 2025 02 az p.29-31

AUTHORS & AFFILIATIONS

  Institute of Physics Ministry of Science and Education Republic of Azerbaijan, 131 H.Javid ave. Baku, AZ 1073
*Azerbaijan Technical University, 25 H. Javid ave., Baku, AZ 1073, Azerbaijan
E-mail:

Graphics and Images

       

       Fig.1

 [1]   A. Segura, J.P. Geusdon, J.M. Besson, A. Chevy/ Photovoltaic effect in InSe. Application to solar energy conversion. “Rev. Phys. appl.” 1979, t.14, № 1, p.253
[2]   A. Segura, J.P. Geusdon, J.M. Besson, A. Chevy. Photoconductivity and fotovoltaic effect in in indium selenide. J. Appl. Phys. 1983, t.54, № 2, p.876
[3]   А.Г. Кязымзаде, А.А. Агаев, В.М. Салманов. Детекторы оптического излучения на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe. ЖТФ, 2007, t.77, с.80-85.
[4]   K.X. Нагиев, B.M. Салманов. Оптические модуляторы на основе кристаллов GaSe и InSe. Республиканская научная конференция «Актуальные проблемы физики», посвященная 90-летию БГУ. Баку, 16 мая 2009, с.18.
[5]   Г.Д. Гусейнов, Г.И. Искендеров, Е.М. Керимова. Взаимодействие мягкого рентгеновского излучения с монокристаллами InSe. Препринт №3, ИФАН, Баку, 1991, 20 с.
[6]   С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмаилов. Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристалле InSe и InSe<Sn> Физика Низких Температур, 2010, т.36, № 4, с.394-397.
[7]   С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмаилов. Влияние g-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и
n-InSe<Sn>//Физика Низких Температур 2010, т.36, № 7, с.805-808.
[8]   А.А. Исмаилов, Ш.Г. Гасымов, Т.С. Мамедов, К.Р. Аллахвердиев. Влияние давления на электропроводность и эффект холла селенида индия. ФТП, 1992, т.26, в.11, с.1994-1996.
[9]   Г.И. Исаков, А.А. Исмаилов, П.Г. Исмаилова, А.А. Исмаилов, С.С. Абдинбеков, Х.Ш. Велибеков, Т.Я. Оруджев. Электрические свойства монокристаллов In0.99Sm0.01Se и In0.97Er0.03Se для солнечных элементов. Международный журнал, Альтернативная энергетика и экологии, 2022, № 6, c.36-43, Саров.
[10]  Q.İ. İsaqov, А.Ə. İsmayılov,V.İ. Еminova, S.S. Abdinbəyov, Ə.Ə. İsmayılov. In1-XErxSe (х= 0,001; 0,003) kristallarının elektrik xassələri. Content of Naxçıvan-100 AJP Fizika C, c.17-18.
[11]  А.З. Абасова, Р.С. Мадатов, В.И. Стафеев. Радиационно стимулированные процессы в халькогенидных структурах Баку: Элм, 2010. -349 с.
[12]  Е.И. Ярембаш, А.А. Елисеев. Халькогениды редкоземельных элементов. Синтез и кристаллохимия М.: Наука, 1975. 258 с.